隨著國(guo)(guo)內(nei)半導體產業的快速發展(zhan)，Thermal EMMI 技(ji)術正(zheng)逐步從依賴(lai)進(jin)口轉向(xiang)自主研發。國(guo)(guo)產 Thermal EMMI 設(she)備不(bu)僅(jin)(jin)在(zai)探(tan)測(ce)靈敏(min)度和(he)分(fen)辨率(lv)上追平(ping)甚至超越部分(fen)國(guo)(guo)際產品，還在(zai)適配本土芯片(pian)工藝、降(jiang)低(di)采(cai)購和(he)維護成本方面展(zhan)現(xian)出(chu)獨特優勢。例如(ru)(ru)，一些國(guo)(guo)產廠商針對國(guo)(guo)內(nei)封測(ce)企業的需求(qiu)，對探(tan)測(ce)器響(xiang)應波(bo)段、樣品臺尺寸、自動化(hua)(hua)控制(zhi)(zhi)系統(tong)等進(jin)行(xing)定制(zhi)(zhi)化(hua)(hua)設(she)計，更好地適應大(da)批(pi)量失效(xiao)分(fen)析任務。同時，本土研發團隊(dui)能夠快速迭代軟(ruan)件算法，如(ru)(ru)引入 AI 圖(tu)像識(shi)別進(jin)行(xing)熱點自動標注，減少(shao)人(ren)工判斷誤差。這(zhe)不(bu)僅(jin)(jin)提(ti)升了檢(jian)(jian)測(ce)效(xiao)率(lv)，也讓 Thermal EMMI 從傳(chuan)統(tong)的“精(jing)密實驗室設(she)備”走向(xiang)生產線質量控制(zhi)(zhi)工具，為國(guo)(guo)產芯片(pian)在(zai)全球競爭中提(ti)供可靠的技(ji)術支撐。制(zhi)(zhi)冷(leng)型探(tan)測(ce)器（如(ru)(ru)斯特林制(zhi)(zhi)冷(leng) MCT）可降(jiang)低(di)噪聲，提(ti)升對低(di)溫樣品（-50℃至室溫）的探(tan)測(ce)精(jing)度。工業檢(jian)(jian)測(ce)熱紅外顯微鏡訂(ding)制(zhi)(zhi)價格

熱(re)(re)紅外(wai)顯(xian)微鏡(jing)是(shi)(shi)半導體(ti)失(shi)效(xiao)分(fen)析(xi)(xi)與缺(que)陷定(ding)位(wei)(wei)的(de)三大主流(liu)手段(duan)之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障(zhang)(zhang)點(dian)(dian)(dian)產生的(de)異常熱(re)(re)輻射，實現精(jing)細定(ding)位(wei)(wei)。存在缺(que)陷或性能退(tui)化的(de)器(qi)件(jian)通常表現為局部功耗異常，導致微區溫度升高(gao)。顯(xian)微熱(re)(re)分(fen)布(bu)測試系(xi)統結合熱(re)(re)點(dian)(dian)(dian)鎖定(ding)技術，能夠(gou)高(gao)效(xiao)識別這些區域(yu)。熱(re)(re)點(dian)(dian)(dian)定(ding)位(wei)(wei)是(shi)(shi)一種動態紅外(wai)熱(re)(re)成像方法(fa)，通過調節電(dian)壓提升分(fen)辨率與靈(ling)敏(min)度，并借助算法(fa)優化信噪比。在集成電(dian)路（IC）分(fen)析(xi)(xi)中，該技術廣泛應用于定(ding)位(wei)(wei)短路、ESD損傷、缺(que)陷晶體(ti)管、二極(ji)管失(shi)效(xiao)及(ji)閂(shuan)鎖問題等關鍵故障(zhang)(zhang)。顯(xian)微熱(re)(re)紅外(wai)顯(xian)微鏡(jing)熱(re)(re)紅外(wai)顯(xian)微鏡(jing)原理(li)主要是(shi)(shi)通過光(guang)學系(xi)統聚焦紅外(wai)輻射，再經探測器(qi)將光(guang)信號轉化為可分(fen)析(xi)(xi)的(de)溫度數(shu)據。

對于3D封(feng)裝產品，傳(chuan)統(tong)的(de)(de)失(shi)(shi)效(xiao)點定(ding)位(wei)往(wang)往(wang)需(xu)要采(cai)用逐層去層的(de)(de)方(fang)法，一層一層地進行(xing)異(yi)常(chang)排查與(yu)(yu)確認(ren)，不(bu)僅耗時長、人工成本高，還存在(zai)(zai)對樣品造成不(bu)可逆損傷的(de)(de)風險。借助Thermal EMMI設備，可通過檢(jian)測失(shi)(shi)效(xiao)點熱輻射在(zai)(zai)傳(chuan)導(dao)過程中的(de)(de)相位(wei)差，推算出失(shi)(shi)效(xiao)點在(zai)(zai)3D封(feng)裝結構中的(de)(de)深(shen)度位(wei)置（Z軸方(fang)向）。這一方(fang)法能夠(gou)在(zai)(zai)不(bu)破壞(huai)封(feng)裝的(de)(de)前提(ti)下(xia)，快(kuai)速判斷失(shi)(shi)效(xiao)點所在(zai)(zai)的(de)(de)芯片層級，實現高效(xiao)、精細的(de)(de)失(shi)(shi)效(xiao)定(ding)位(wei)。如(ru)圖7所示，不(bu)同(tong)深(shen)度空(kong)間下(xia)失(shi)(shi)效(xiao)點與(yu)(yu)相位(wei)的(de)(de)關系為(wei)該技術提(ti)供(gong)了直觀的(de)(de)參考(kao)依據。

從(cong)技(ji)術演進來(lai)看(kan)，熱(re)(re)(re)紅外顯微鏡(jing)thermal emmi正加速向三大(da)方向突破(po)：一是(shi)靈敏度持(chi)續躍升，如量(liang)子點探(tan)測器的應用可大(da)幅增強(qiang)光子捕捉能(neng)(neng)(neng)力(li)，讓微弱熱(re)(re)(re)信號的識別更精(jing)確；二是(shi)多模態融合，通(tong)過集成 EMMI 光子探(tan)測、OBIRCH 電(dian)阻分析(xi)等(deng)(deng)功能(neng)(neng)(neng)，實現(xian) “熱(re)(re)(re) - 光 - 電(dian)” 多維度協同檢測；三是(shi)智(zhi)能(neng)(neng)(neng)化升級(ji)，部分設備已內置 AI 算法，能(neng)(neng)(neng)自動標記異常(chang)熱(re)(re)(re)點并生成分析(xi)報告(gao)。這些進步為半導體(ti)良率提升、新能(neng)(neng)(neng)源汽(qi)車(che)電(dian)驅系統熱(re)(re)(re)管(guan)理等(deng)(deng)場(chang)景，提供了(le)更高效(xiao)、更好的解決方案。 熱(re)(re)(re)紅外顯微鏡(jing)成像：支持(chi)三維熱(re)(re)(re)成像重構(gou)，通(tong)過分層掃描(miao)樣品不(bu)同深度，生成立體(ti)熱(re)(re)(re)分布模型。

作(zuo)為國內少(shao)數掌握 Thermal EMMI 技術(shu)并實(shi)(shi)現量(liang)產(chan)(chan)的(de)(de)企業(ye)之一，致晟(sheng)光(guang)電(dian)在(zai)設備國產(chan)(chan)化(hua)和產(chan)(chan)業(ye)落地方面取得了(le)雙重突(tu)破。設備在(zai)光(guang)路設計、探測器匹配、樣品平臺穩定性等關鍵環節均采用自主方案(an)，確(que)保(bao)整(zheng)機(ji)性能穩定且易于(yu)(yu)維護(hu)。更重要的(de)(de)是(shi)，致晟(sheng)光(guang)電(dian)深(shen)度參與(yu)國內封測廠(chang)、晶圓廠(chang)及(ji)科(ke)研(yan)機(ji)構的(de)(de)失(shi)效分析項目，將 Thermal EMMI 不僅用于(yu)(yu)研(yan)發(fa)驗(yan)證，還延伸(shen)至生(sheng)產(chan)(chan)線質量(liang)監控(kong)和來料檢測。這種從實(shi)(shi)驗(yan)室(shi)走向產(chan)(chan)線的(de)(de)轉變(bian)，意味著 Thermal EMMI 不再只(zhi)是(shi)少(shao)數工(gong)程師的(de)(de)“顯微(wei)鏡(jing)”，而是(shi)成(cheng)為支撐國產(chan)(chan)半(ban)導體產(chan)(chan)業(ye)質量(liang)提升(sheng)的(de)(de)重要裝(zhuang)備。通過(guo)持(chi)續優(you)化(hua)算法、提升(sheng)檢測效率(lv)，致晟(sheng)光(guang)電(dian)正(zheng)推動 Thermal EMMI 技術(shu)在(zai)國內形成(cheng)成(cheng)熟的(de)(de)應(ying)用生(sheng)態，為本土芯(xin)片制(zhi)造保(bao)駕護(hu)航。熱紅外(wai)顯微(wei)鏡(jing)工(gong)作(zuo)原(yuan)理：結(jie)合光(guang)譜技術(shu)，可同時獲取樣品熱分布(bu)與(yu)紅外(wai)光(guang)譜信(xin)息(xi)，分析物質成(cheng)分與(yu)熱特性的(de)(de)關聯。實(shi)(shi)時成(cheng)像熱紅外(wai)顯微(wei)鏡(jing)品牌排行

在(zai)高可(ke)靠性(xing)要求、功耗限(xian)制(zhi)嚴(yan)格的器件中，定位(wei)內(nei)部(bu)失(shi)效位(wei)置。工業檢測熱紅(hong)外(wai)顯微鏡訂制(zhi)價格

微(wei)光紅(hong)外(wai)顯(xian)(xian)微(wei)儀是一種高靈敏度的(de)失效(xiao)(xiao)分(fen)析(xi)設備(bei)，可在非破壞性條件(jian)下，對(dui)封(feng)(feng)裝(zhuang)器件(jian)及芯(xin)片的(de)多種失效(xiao)(xiao)模(mo)式(shi)進行精(jing)細檢(jian)測與定(ding)位(wei)。其應(ying)用范(fan)圍涵蓋：芯(xin)片封(feng)(feng)裝(zhuang)打線缺(que)(que)陷(xian)(xian)及內部(bu)線路短(duan)路、介電層（Oxide）漏(lou)電、晶體(ti)管和二極管漏(lou)電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬(shu)線路缺(que)(que)陷(xian)(xian)與短(duan)路、ESD閉鎖效(xiao)(xiao)應(ying)、3D封(feng)(feng)裝(zhuang)（Stacked Die）失效(xiao)(xiao)點深(shen)度（Z軸）預估、低阻抗短(duan)路（＜10 Ω）問題分(fen)析(xi)，以及芯(xin)片鍵合對(dui)準精(jing)度檢(jian)測。相比傳(chuan)統方法，微(wei)光紅(hong)外(wai)顯(xian)(xian)微(wei)儀無需繁瑣的(de)去層處理，能(neng)夠通(tong)過檢(jian)測器捕捉(zhuo)異常輻(fu)射信號，快速鎖定(ding)缺(que)(que)陷(xian)(xian)位(wei)置(zhi)，大幅縮短(duan)分(fen)析(xi)時(shi)間，降低樣(yang)品損(sun)傷風險，為半導體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)測試、產品質量控制(zhi)(zhi)及研發優(you)化提供高效(xiao)(xiao)可靠的(de)技術手段。工業(ye)檢(jian)測熱紅(hong)外(wai)顯(xian)(xian)微(wei)鏡訂(ding)制(zhi)(zhi)價格